FQI32N20CTU
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FQI32N20CTU |
---|---|
Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
307+ | $0.98 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | I2PAK (TO-262) |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 14A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.13W (Ta), 156W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2220 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 28A (Tc) |
FQI32N20CTU Einzelheiten PDF [English] | FQI32N20CTU PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK
MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK
FQI34P10 FAIRCHILD
MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
FAIRCHILD TO-262
FAIRCHILD TO-262
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FQI32N20CTUFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|